Samsung поліпшить технології виробництва ШІ-чіпів

Корпорація Samsung представила низку майбутніх удосконалень у технологіях виробництва, спрямованих на залучення творців ШІ-чіпів.

Компанія пропонує покращений процес розроблення процесорів із використанням технології зворотного подавання живлення, згідно з якою шини розміщуються на іншій стороні кремнієвої пластини. За словами представників фірми, такий підхід підвищує потужність і продуктивність, знижуючи при цьому падіння напруги порівняно з 2-нм техпроцесом першого покоління.

За рахунок нововведень південнокорейська фірма планує збільшити кількість замовлень на виробництво напівпровідників для ШІ-чіпів.

Samsung також розповіла про свою ключову для ШІ-продуктів технологію оточення каналів з чотирьох сторін Gate-all-around (GAA). Процес дає змогу краще контролювати перемикання транзистора. Корпорація планує почати масове виробництво за 3-нм техпроцесом другого покоління в другій половині 2024 року і впровадити GAA в майбутній 2-нм техпроцес.

Компанія підтвердила роботу над 1,4-нм мікросхемами. Їх складання запустять у 2027 році.

За даними Bloomberg, Samsung об’єднає два північноамериканські дослідницькі центри зі штучного інтелекту і найме колишнього керівника Apple для управління новим підприємством.

Згідно з джерелами, компанія створює новий об’єднаний підрозділ North America AI Center для поліпшення роботи і підвищення ефективності роботи команд. До нього увійдуть співробітники з Торонто (Канада) і Каліфорнії (США), а очолить підрозділ Мурат Акбачак, який відповідав в Apple за розвиток Siri, стверджує видання.

Нагадаємо, Samsung заборонила співробітниками використовувати інструменти генеративного ШІ на кшталт ChatGPT через побоювання витоків секретних даних.